Изображение служит лишь для справки
IRFSL3306PBF
- International Rectifier
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, TO-262, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента:TO-262AA
- Описание пакета:LEAD FREE, TO-262, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID):160 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:IN-LINE
- Type of integrated circuit:driver
- Kind of integrated circuit:gate driver
- Case:SOW8
- Монтаж:SMD
- Kind of package:reel,
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN OVER NICKEL
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-262AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0042 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:620 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):184 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):230 W
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000