Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
PUMH10
-
Nexperia
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Small Signal Bipolar Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:2
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:NEXPERIA
- Date Of Intro:2017-02-01
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000