Изображение служит лишь для справки
SI2303BDS-T1-E3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1.49A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Максимальный ток утечки (ID):1.49 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-236
- Сопротивление открытого канала-макс:0.2 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.9 W
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000