SQD40061EL_GE3

Name: Vishay Intertechnologies SQD40061EL_GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 5 (6 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0051ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3/2
Date Sheet

Lagernummer 2991

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
LED working life：40000 hours min
Button shape：ring and flat button
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：DPAK-3/2
Максимальный ток утечки (ID)：100 A
Температура работы-Макс：175 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Время отключения макс. (toff)：470 ns
Время включения макс. (ton)：305 ns
Indicator type：dot
Класс защиты：IP65
Relative humidity：45...85 %
Номинальное напряжение：250 V
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-252AA
Сопротивление открытого канала-макс：0.0051 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：300 A
Минимальная напряжённость разрушения：40 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：84 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：1000 pF
Ток насыщения：1
Контакты：3Pin+2Pin

Со склада 2991

Итого $0.00000