NE3210S01-T1B

Name: Renesas Electronics Corporation NE3210S01-T1B
Brand: Renesas Electronics Corporation
Rating: 4.8 (18 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
Описание пакета：MICROWAVE, X-PXMW-G4
Максимальный ток утечки (ID)：0.015 A
Температура работы-Макс：125 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：UNSPECIFIED
Форма упаковки：MICROWAVE
Relative humidity：35...85 %
Operating ambient temperature：-40...+80 °C
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Тип：Single-phase linear solid state relay from the SCR series with fuse
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Положение терминала：UNSPECIFIED
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：230
Глубина：62 mm
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：X-PXMW-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DEPLETION MODE
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Минимальная напряжённость разрушения：3 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：HETERO-JUNCTION
Протivotок：10x38 mm 10 A
Частотная полоса наивысшего режима：KU BAND
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.165 W
Уголок мощности-минимум (Гп)：12 dB
Высота：35 mm

Со склада 0

Итого $0.00000