Изображение служит лишь для справки
SQSA80ENW-T1_GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 80V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
- Date Sheet
Lagernummer 7872
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:25 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
- Максимальный ток утечки (ID):18 A
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Indicator type:Vandal-proof indicator series GQ6
- Код ECCN:EAR99
- Цвет:red
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:S-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.027 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:72 A
- Минимальная напряжённость разрушения:80 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):24.2 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 7872
Итого $0.00000