Изображение служит лишь для справки
SI7738DP-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 150V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Date Sheet
Lagernummer 2380
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):7.7 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-XDSO-C5
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.038 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:30 A
- Минимальная напряжённость разрушения:150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):45 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):96 W
- Ток насыщения:1
Со склада 2380
Итого $0.00000