SI7164DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7164DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 2.451961 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (8 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 60V, 0.00625ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 2422

1+： $2.45196
10+： $2.31317
100+： $2.18224
500+： $2.05871
1000+： $1.94218

Zwischensummenbetrag $2.45196

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：23.5 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：PURE MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.00625 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：80 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：125 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：104 W
Ток насыщения：1

Со склада 2422

1+： $2.45196
10+： $2.31317
100+： $2.18224
500+： $2.05871
1000+： $1.94218

Итого $2.45196