SI7112DN-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.8 (15 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
Date Sheet

Lagernummer 2382

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of capacitor：ceramic
Kind of capacitor：MLCC
Монтаж：SMD
Case - inch：0402
Case - mm：1005
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
Максимальный ток утечки (ID)：11.3 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Допуск：±20%
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Капацитивность：1µF
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：S-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Диэлектрик：X7T
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0075 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：60 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：3.8 W
Ток насыщения：1

Со склада 2382

Итого $0.00000