Изображение служит лишь для справки
IRFB9N60APBF
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 41
- 1+： $2.02420
- 10+： $1.90962
- 100+： $1.80153
- 500+： $1.69955
- 1000+： $1.60335
Zwischensummenbetrag $2.02420
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：9.2 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.75 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：37 A
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：290 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：170 W
Со склада 41
- 1+： $2.02420
- 10+： $1.90962
- 100+： $1.80153
- 500+： $1.69955
- 1000+： $1.60335
Итого $2.02420
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты