Изображение служит лишь для справки

SI2312BDS-T1-GE3

Lagernummer 204

  • 1+: $0.16174
  • 10+: $0.15259
  • 100+: $0.14395
  • 500+: $0.13580
  • 1000+: $0.12811

Zwischensummenbetrag $0.16174

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:13 Weeks
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Вес:0.8 kg
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of capacitor:ceramic
  • Kind of capacitor:MLCC
  • Монтаж:SMD
  • Case - inch:1206
  • Case - mm:3216
  • Capacitors series:KGM
  • Analog:POS40
  • Melting temperature:183...240 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Not Recommended
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:TO-236, SOT-23, 3 PIN
  • Максимальный ток утечки (ID):3.9 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Пакетирование:coil
  • Допуск:±20%
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:Soft lead-tin solder Sn/Pb
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Состав:lead - 40%; tin - 60%
  • Капацитивность:1µF
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-PDSO-G3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Диэлектрик:X7R
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-236AB
  • Форма:wire
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.031 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:20 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.75 W
  • Ток насыщения:1
  • Диаметр:1.5 mm

Со склада 204

  • 1+: $0.16174
  • 10+: $0.15259
  • 100+: $0.14395
  • 500+: $0.13580
  • 1000+: $0.12811

Итого $0.16174