SI7135DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7135DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 0.859293884038925 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (18 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 31.6A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 2534

1+： $0.85929
10+： $0.81065
100+： $0.76477
500+： $0.72148
1000+： $0.68064

Zwischensummenbetrag $0.85929

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：31.6 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0039 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：100 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：80 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：104 W
Ток насыщения：1

Со склада 2534

1+： $0.85929
10+： $0.81065
100+： $0.76477
500+： $0.72148
1000+： $0.68064

Итого $0.85929