Изображение служит лишь для справки
ATF-10736-TR1
- Hewlett Packard Co
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CERAMIC, MICROSTRIP PACKAGE-4
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:GALLIUM ARSENIDE
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:HEWLETT PACKARD CO
- Описание пакета:MICROWAVE, S-CXMW-F4
- Максимальный ток утечки (ID):0.18 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:MICROWAVE
- Type of capacitor:ceramic
- Kind of capacitor:MLCC
- Монтаж:SMD
- Case - inch:1206
- Case - mm:3216
- Capacitors series:KGM
- Допуск:±10%
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:LOW NOISE
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Капацитивность:4.7µF
- Положение терминала:UNSPECIFIED
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:S-CXMW-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Диэлектрик:X7R
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:5 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима:X BAND
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:0.43 W
- Уголок мощности-минимум (Гп):12 dB
Со склада 0
Итого $0.00000