Изображение служит лишь для справки
IRF6216TRPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of capacitor：ceramic
- Kind of capacitor：MLCC
- Монтаж：SMD
- Case - inch：1206
- Case - mm：3216
- Capacitors series：KGM
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：SOT
- Описание пакета：SO-8
- Максимальный ток утечки (ID)：2.2 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Допуск：±5%
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Капацитивность：1.8nF
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Диэлектрик：C0G (NP0)
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.24 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：19 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：200 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：1
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты