Изображение служит лишь для справки
SI7121ADN-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
- Date Sheet
Lagernummer 629
- 1+: $0.16658
- 10+: $0.15715
- 100+: $0.14826
- 500+: $0.13986
- 1000+: $0.13195
Zwischensummenbetrag $0.16658
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:18 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of capacitor:ceramic
- Kind of capacitor:MLCC
- Монтаж:SMD
- Case - inch:1206
- Case - mm:3216
- Capacitors series:KGM
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID):18 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Допуск:±1%
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Капацитивность:1.5nF
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:S-PDSO-F5
- Диэлектрик:C0G (NP0)
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.015 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:50 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):9.8 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
Со склада 629
- 1+: $0.16658
- 10+: $0.15715
- 100+: $0.14826
- 500+: $0.13986
- 1000+: $0.13195
Итого $0.16658