SIR802DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIR802DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.7 (5 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 40

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of capacitor：ceramic
Kind of capacitor：MLCC
Монтаж：SMD
Case - inch：0805
Case - mm：2012
Capacitors series：KGM
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：30 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Допуск：±1%
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Капацитивность：22pF
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Диэлектрик：C0G (NP0)
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.005 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：70 A
Минимальная напряжённость разрушения：20 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：27.7 W

Со склада 40

Итого $0.00000