Изображение служит лишь для справки
SI4288DY-T1-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
- Date Sheet
Lagernummer 23961
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:2
- Type of capacitor:ceramic
- Kind of capacitor:MLCC
- Монтаж:SMD
- Case - inch:0805
- Case - mm:2012
- Capacitors series:KGM
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SO-8
- Максимальный ток утечки (ID):9.2 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Допуск:±20%
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Капацитивность:22µF
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Диэлектрик:X5R
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.02 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):3.1 W
- Ток насыщения:1
Со склада 23961
Итого $0.00000