Изображение служит лишь для справки
IRF9640STRLPBF
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 1588
- 1+： $1.68142
- 10+： $1.58625
- 100+： $1.49646
- 500+： $1.41176
- 1000+： $1.33185
Zwischensummenbetrag $1.68142
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：19 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента：D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID)：11 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：44 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：700 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
- Ток насыщения：1
Со склада 1588
- 1+： $1.68142
- 10+： $1.58625
- 100+： $1.49646
- 500+： $1.41176
- 1000+： $1.33185
Итого $1.68142
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты