Изображение служит лишь для справки
2SJ355
- Renesas Electronics Corporation
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: 2A, 30V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PACKAGE-3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал:plastic / zinc
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Fixation:screw
- Turns:10
- Number of characters per line:3
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Максимальный ток утечки (ID):2 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Тип:knob with counter
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Цвет:black
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-F3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Позиция:indicator - line
- Замечание:for multi-turn potentiometers
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:4 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2 W
- Высота:24 mm
- Ширина:22 mm
- Диаметр:shaft - 6.35 mm
Со склада 0
Итого $0.00000