(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFD9120
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HD-1, DIP-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал：PA 66
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of capacitor：ceramic
- Kind of capacitor：MLCC
- Монтаж：SMD
- Case - inch：0603
- Case - mm：1608
- Capacitors series：KGM
- Монтажное отверстие：3 mm
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента：DIP
- Описание пакета：HD-1, DIP-4
- Максимальный ток утечки (ID)：1 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：IN-LINE
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Цвет：black
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Капацитивность：1.5pF
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDIP-T4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Диэлектрик：C0G (NP0)
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：140 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.3 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
