Изображение служит лишь для справки
IRFR1N60ATRPBF
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
- Date Sheet
Lagernummer 28
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал:polyester, self-extinguishing
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Operating ambient temperature:-55...+150 °C
- Diameter coverage:5 (+3) mm
- Type of capacitor:ceramic
- Kind of capacitor:MLCC
- Монтаж:SMD
- Case - inch:0603
- Case - mm:1608
- Capacitors series:KGF
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента:TO-252AA
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Максимальный ток утечки (ID):1.4 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Пакетирование:spool - 100m
- Допуск:±5%
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Тип:self-wrapping cable sleeve
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Цвет:black
- Капацитивность:5.6nF
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Диэлектрик:X7R
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Замечание:reusable
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс:7 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:5.6 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):93 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):36 W
- Ток насыщения:1
- Ширина:30 ±2 mm
Со склада 28
Итого $0.00000