(0)
Изображение служит лишь для справки
BCP55
-
National Semiconductor Corporation
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Impulse discharge current (8/20 µs impulse)：10 kA
- Discharge current for AC voltage 50 Hz (1s)：10 A
- Operational resources：100A/300 times
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Тип：N81
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Проектирование：lead-out
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.5 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：1.5 W
- Контакты：2-electrode
- Длина：6 mm
- Диаметр：8 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
