(0)
Изображение служит лишь для справки
BCP55
-
Galaxy Microelectronics
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT)：100 MHz
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：MIL-STD-202
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.5 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.5 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
