![](https://static.whisyee.com/image/7748b45ec2445dc29bfe9d7f2baafc5b.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BCP55
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:DIODES INC
- Код упаковки компонента:SOT-223
- Описание пакета:SOT-223, 4 PIN
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT):100 MHz
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальный ток коллектора (IC):1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):25
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:60 V
Со склада 0
Итого $0.00000