Изображение служит лишь для справки






MRF148A
-
Advanced Semiconductor Inc
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.380 INCH, FM-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ASI SEMICONDUCTOR INC
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Максимальный ток утечки (ID):6 A
- Температура работы-Макс:200 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:RADIAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:O-CRFM-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения:125 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):115 W
- Частотная полоса наивысшего режима:VERY HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000