Изображение служит лишь для справки






PHN210
-
Philips Semiconductors
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 5000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Максимальное напряжение:250 V
- Максимальный ток:10 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Максимальный ток утечки (ID):3.5 A
- Описание пакета:,
- Производитель IHS:PHILIPS SEMICONDUCTORS
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Рохс Код:Yes
- Код JESD-609:e4
- Код ECCN:EAR99
- Тип:Test probes for digital testers DT
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Код соответствия REACH:unknown
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):2 W
- Длина:contact - 15; probe - 105; total - 700 mm
Со склада 5000
Итого $0.00000