Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

SI7461DP-T1-GE3

Lagernummer 3786

  • 1+: $1.73657
  • 10+: $1.63827
  • 100+: $1.54554
  • 500+: $1.45806
  • 1000+: $1.37552

Zwischensummenbetrag $1.73657

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:19 Weeks, 1 Day
  • Вид крепления:screw, M3
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:5
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Gross Weight:23.07
  • Number of knees:5
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
  • Максимальный ток утечки (ID):8.6 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:telescopic rotating antenna
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:C BEND
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-XDSO-C5
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0145 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:60 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):125 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):5.4 W
  • Ток насыщения:1
  • Длина:235-860 mm

Со склада 3786

  • 1+: $1.73657
  • 10+: $1.63827
  • 100+: $1.54554
  • 500+: $1.45806
  • 1000+: $1.37552

Итого $1.73657