
Изображение служит лишь для справки






IRF1010E
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал:contacts - iron
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Gross Weight:2.02
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента:TO-220AB
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Максимальный ток утечки (ID):75 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Тип:battery terminal block
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Цвет:insulator - black
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Шаг:12.7 mm
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):225
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Длина вывода:flexible leads (pair), unterminated, 150 mm
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Напряжение:9 V
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.012 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:330 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):320 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):170 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:170 W
Со склада 0
Итого $0.00000