
Изображение служит лишь для справки






FDS6675BZ
-
Rochester Electronics LLC
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- 11000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Вес:0.1 kg
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Код упаковки компонента:SOT
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID):11 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Equivalent:POS-60
- Melting temperature:183...190 °C
- Flux:-
- Пакетирование:spool
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Тип:Soft tin-lead solder Sn/Pb
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Состав:tin - 60%; lead - 40%
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.013 Ω
- Проектирование:wire
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):500 pF
- Ток насыщения:1
- Диаметр:2.0 mm
Со склада 0
Итого $0.00000