MMBTH10

Name: National Semiconductor Corporation MMBTH10
Brand: National Semiconductor Corporation
Rating: 4.8 (6 reviews)

National Semiconductor Corporation
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
-
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-236AB
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Траниционный частотный предел (fT)：650 MHz
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Код JEDEC-95：TO-236AB
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.225 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.05 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：60
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：25 V
Максимальное напряжение на выходе：0.5 V
Сопротивление базы-эмиттора макс：0.7 pF

Со склада 0

Итого $0.00000