IRFL214TRPBF

Name: Vishay Intertechnologies IRFL214TRPBF
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.9 (18 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.79A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Date Sheet

Lagernummer 109

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks, 1 Day
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：End Of Life
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Код упаковки компонента：TO-261AA
Описание пакета：ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Максимальный ток утечки (ID)：0.79 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-261AA
Сопротивление открытого канала-макс：2 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：6.3 A
Минимальная напряжённость разрушения：250 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：50 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：3.1 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：9.6 pF
Ток насыщения：1

Со склада 109

Итого $0.00000