Изображение служит лишь для справки
IRF6635TR1PBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3
- Максимальный ток утечки (ID)：32 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Код JESD-609：e4
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：SILVER NICKEL
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-XBCC-N3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0018 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：250 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：200 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения：3
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты