SIR464DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIR464DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 0.270063900947571 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (20 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 29.5A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 2008

1+： $0.27006
10+： $0.25478
100+： $0.24036
500+： $0.22675
1000+： $0.21392

Zwischensummenbetrag $0.27006

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of integrated circuit：STM32 ARM microcontroller
Монтаж：SMD
Number of inputs/outputs：80
Case：UFBGA100
Kind of architecture：Cortex M33
Память：256kB FLASH
Number of 12bit A/D converters：2
Number of 12bit D/A converters：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：29.5 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Семейство：STM32H5
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0031 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：70 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：80 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：69 W

Со склада 2008

1+： $0.27006
10+： $0.25478
100+： $0.24036
500+： $0.22675
1000+： $0.21392

Итого $0.27006