Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Type of module:IGBT
  • Semiconductor structure:diode/transistor
  • Max. off-state voltage:1.7kV
  • Сборный ток:100A
  • Case:SEMITRANS2
  • Electrical mounting:FASTON connectors,
  • Gate-emitter voltage:±20V
  • Pulsed collector current:200A
  • Mechanical mounting:screw
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:LESHAN RADIO CO LTD
  • Код JESD-609:e3
  • Конечная обработка контакта:TIN
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):32
  • Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Топология:boost chopper
  • Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:for UPS,
  • Ток насыщения:1

Со склада 0

Итого $0.00000