Изображение служит лишь для справки

5.0SMDJ11A

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of module:IGBT
  • Semiconductor structure:common emitter,
  • Max. off-state voltage:1.7kV
  • Сборный ток:400A
  • Case:SEMITRANS3
  • Electrical mounting:FASTON connectors,
  • Gate-emitter voltage:±20V
  • Pulsed collector current:1.2kA
  • Mechanical mounting:screw
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
  • Производитель IHS:LUCKY FORESTS CORP LTD
  • Описание пакета:SMC, 2 PIN
  • Пороговая напряжённость-номинал:12.85 V
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Дополнительная Характеристика:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, TR, 7 INCH: 500
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:J BEND
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:R-PDSO-J2
  • Направленность:UNIDIRECTIONAL
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Топология:IGBT x2
  • Максимальное обратное напряжение:11 V
  • Код JEDEC-95:DO-214AB
  • Максимальная мощность разрядки:5000 W
  • Максимальный обратный ток:2 μA
  • Минимальная напряжение разрушения:12.2 V
  • Максимальное напряжение зажима:18.2 V
  • Обратная тестовая напряжение:11 V
  • Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:frequency changer,
  • Максимальная напряжённость разрушения:13.5 V

Со склада 0

Итого $0.00000