KSB834-Y

Name: Samsung Semiconductor KSB834-Y
Brand: Samsung Semiconductor
Rating: 4.9 (9 reviews)

Samsung Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
-
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of module：thyristor
Semiconductor structure：common cathode,
Max. off-state voltage：1.8kV
Версия：A72
Case：SEMIPACK1
Max. forward voltage：1.65V
Max. forward impulse current：2kA
Gate current：150mA
Electrical mounting：FASTON connectors,
Mechanical mounting：screw
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Код упаковки компонента：SFM
Описание пакета：TO-220, 3 PIN
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Траниционный частотный предел (fT)：9 MHz
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
Максимальное напряжение на выходе：1 V
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：30 W

Со склада 0

Итого $0.00000