Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of module:IGBT
  • Semiconductor structure:diode/transistor
  • Max. off-state voltage:1.2kV
  • Сборный ток:400A
  • Case:SEMITRANS3
  • Electrical mounting:FASTON connectors,
  • Gate-emitter voltage:±20V
  • Pulsed collector current:1.2kA
  • Mechanical mounting:screw
  • Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
  • Производитель IHS:RUGAO DACHANG ELECTRONIC CO LTD
  • Максимальное напряжение включения:1.25 V
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-50 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Код ECCN:EAR99
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
  • Положение терминала:AXIAL
  • Форма вывода:WIRE
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:O-PALF-W2
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:RECTIFIER DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Топология:buck chopper
  • Выводная мощность-макс:4 A
  • Количество фаз:1
  • Максимальное обратное напряжение:600 V
  • Код JEDEC-95:DO-27
  • Максимальная прямая сила тока в пакете:70 A
  • Максимальный обратный ток:10 μA
  • Минимальная напряжение разрушения:600 V
  • Время обратной восстановительной максимальная:0.05 μs
  • Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:EFFICIENCY

Со склада 0

Итого $0.00000