Изображение служит лишь для справки

BZV55-B10

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of module:IGBT
  • Semiconductor structure:transistor/transistor
  • Max. off-state voltage:1.7kV
  • Сборный ток:150A
  • Case:MiniSKiiP® 2
  • Electrical mounting:Press-Fit
  • Gate-emitter voltage:±20V
  • Pulsed collector current:450A
  • Mechanical mounting:screw
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:NEXPERIA
  • Date Of Intro:2017-02-17
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Материал корпуса пакета:GLASS
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Номинальный напряжений отсчета:10 V
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
  • Положение терминала:END
  • Форма вывода:WRAP AROUND
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Нормативная Марка:IEC-60134
  • Код JESD-30:O-LELF-R2
  • Направленность:UNIDIRECTIONAL
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:ZENER DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Топология:IGBT half-bridge,
  • Допустимый напряжений предел:2%
  • Тестовая рабочая токовая струя:5 mA
  • Диапазон выхода:0.4 W
  • Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:for UPS,
  • Ток насыщения:1

Со склада 0

Итого $0.00000