Изображение служит лишь для справки
BZV55-B10
- Nexperia
- Диоды - Зенеры - Одинарные
- -
- Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.4W, Silicon, Unidirectional
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Материал наружного корпуса:1
- Type of module:IGBT
- Semiconductor structure:transistor/transistor
- Max. off-state voltage:1.7kV
- Сборный ток:150A
- Case:MiniSKiiP® 2
- Electrical mounting:Press-Fit
- Gate-emitter voltage:±20V
- Pulsed collector current:450A
- Mechanical mounting:screw
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:NEXPERIA
- Date Of Intro:2017-02-17
- Температура работы-Макс:200 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:LONG FORM
- Номинальный напряжений отсчета:10 V
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Положение терминала:END
- Форма вывода:WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Нормативная Марка:IEC-60134
- Код JESD-30:O-LELF-R2
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:ZENER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Топология:IGBT half-bridge,
- Допустимый напряжений предел:2%
- Тестовая рабочая токовая струя:5 mA
- Диапазон выхода:0.4 W
- Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:for UPS,
- Ток насыщения:1
Со склада 0
Итого $0.00000