SI7370DP-T1-E3

Name: Vishay Intertechnologies SI7370DP-T1-E3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.9 (17 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 26802

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of module：IGBT
Semiconductor structure：transistor/transistor
Max. off-state voltage：1.2kV
Сборный ток：75A
Case：MiniSKiiP® 3
Electrical mounting：Press-Fit
Gate-emitter voltage：±20V
Pulsed collector current：225A
Mechanical mounting：screw
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：9.6 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：FAST SWITCHING
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：20
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Топология：IGBT three-phase bridge OE output,
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.011 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：50 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：125 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：5.2 W
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,
Ток насыщения：1

Со склада 26802

Итого $0.00000