Изображение служит лишь для справки
SUM80090E-GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 150V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2
- Date Sheet
Lagernummer 1654
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks, 3 Days
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Date Of Intro:2016-05-01
- Максимальный ток утечки (ID):128 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Type of enclosure:shielding
- Dimension X:54.6mm
- Dimension Y:85mm
- Dimension Z:38.6mm
- Материал корпуса:aluminium
- Enclosure description:EMI/RFI shielding,
- Enclosures application:designed for electronic circuits sensitive to electromagnetic interferences
- Enclosure series:AW
- Версия:with fixing lugs
- Размеры:See
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0105 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:240 A
- Минимальная напряжённость разрушения:150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):180 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Ток насыщения:1
Со склада 1654
Итого $0.00000