Изображение служит лишь для справки

SUM80090E-GE3

Lagernummer 1654

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:16 Weeks, 3 Days
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
  • Date Of Intro:2016-05-01
  • Максимальный ток утечки (ID):128 A
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Type of enclosure:shielding
  • Dimension X:54.6mm
  • Dimension Y:85mm
  • Dimension Z:38.6mm
  • Материал корпуса:aluminium
  • Enclosure description:EMI/RFI shielding,
  • Enclosures application:designed for electronic circuits sensitive to electromagnetic interferences
  • Enclosure series:AW
  • Версия:with fixing lugs
  • Размеры:See
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-263AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0105 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:240 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:150 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):180 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Ток насыщения:1

Со склада 1654

Итого $0.00000