Изображение служит лишь для справки
IRF7463TRPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал：acid resistant steel A4
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：SOT
- Описание пакета：SO-8
- Максимальный ток утечки (ID)：14 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Type of mounting element：parallel key
- BN standard：BN 4629
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.008 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：110 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：320 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
- Ток насыщения：1
- Ширина：5mm
- Высота：5mm
- Длина：10mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты