Изображение служит лишь для справки

SI3127DV-T1-GE3

Lagernummer 3042

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:10 Weeks, 3 Days
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:6
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Описание пакета:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-6
  • Максимальный ток утечки (ID):5.1 A
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код JESD-609:e3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Код JESD-30:R-PDSO-G6
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:MO-193AA
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.089 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:60 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Ток насыщения:1

Со склада 3042

Итого $0.00000