SI7212DN-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7212DN-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.5 (7 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
Date Sheet

Lagernummer 2336

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
Максимальный ток утечки (ID)：4.9 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：S-XDSO-C6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.036 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：20 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：5 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：2.6 W
Ток насыщения：1

Со склада 2336

Итого $0.00000