Изображение служит лишь для справки
SQJQ148ER-T1_GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 372A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
- Date Sheet
Lagernummer 6562
- 1+: $2.35550
- 10+: $2.22217
- 100+: $2.09639
- 500+: $1.97773
- 1000+: $1.86578
Zwischensummenbetrag $2.35550
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:25 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID):372 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):63 ns
- Время включения макс. (ton):158 ns
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0015 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:670 A
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):105 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):394 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):184 pF
Со склада 6562
- 1+: $2.35550
- 10+: $2.22217
- 100+: $2.09639
- 500+: $1.97773
- 1000+: $1.86578
Итого $2.35550