(0)
Изображение служит лишь для справки
SI4410BDY-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, MS-012, SOIC, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 9
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：MS-012, SOIC, SOP-8
- Максимальный ток утечки (ID)：14 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：44 ns
- Время включения макс. (ton)：36 ns
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MS-012AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.014 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：32 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：11.25 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：5 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：72 pF
- Ток насыщения：1
Со склада 9
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
