(0)
Изображение служит лишь для справки
MS2575
-
Advanced Power Technology
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Описание пакета：HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN
- Температура работы-Макс：250 °C
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：DISK BUTTON
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-CRDB-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：BASE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
- Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
