Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AP60N02BD
Изображение служит лишь для справки
AP60N02BD
-
A Power microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 20V 60A 37W 4.8mΩ@4.5V,30A 700mV@250uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- RoHS：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：20V
- Power Dissipation (Pd)：37W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：4.8mΩ@4.5V,30A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：700mV@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：271pF@10V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：1.832nF@10V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：23nC@4.5V
- Package：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：-55℃~+150℃@(Tj)
- Type：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты