Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HYG035N06LS1D
Изображение служит лишь для справки
HYG035N06LS1D
-
HUAYI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 65V 150A 3.5mΩ@10V,20A 183W 1.5V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：65V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,20A
- Power Dissipation (Pd)：183W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：112pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：3.687nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：41.7nC@4.5V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+175℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 31
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты