Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HYG020N04NA1P
Изображение служит лишь для справки
HYG020N04NA1P
-
HUAYI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 40V 220A 1.8mΩ@10V,60A 200W 2.7V@250uA 1 N-Channel TO-220FB-3L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 15
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：40V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,60A
- Power Dissipation (Pd)：200W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.7V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：650pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：5.755nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：134.2nC@10V
- Пакет：Tube-packed
- Рабочая температура：-55℃~+175℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 15
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты