(0)
Изображение служит лишь для справки
FMMTH10
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Description: RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SOT-23, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：DIODES INC
- Код упаковки компонента：SOT-23
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT)：650 MHz
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.33 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.025 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：60
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：25 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.5 V
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：0.7 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.33 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
